مقاله فرایند انتقال ناخالصی به درون ویفر با روش کاشت یون (ion implantation) pdf دارای 8 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله فرایند انتقال ناخالصی به درون ویفر با روش کاشت یون (ion implantation) pdf کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله فرایند انتقال ناخالصی به درون ویفر با روش کاشت یون (ion implantation) pdf ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله فرایند انتقال ناخالصی به درون ویفر با روش کاشت یون (ion implantation) pdf :
سال انتشار: 1393
محل انتشار: دومین کنفرانس دستاوردهای نوین در مهندسی برق و کامپیوتر
تعداد صفحات: 8
چکیده:
کاشت یون یکی از مهمترین روش نفوذ ناخالصی به درون ویفر در صنایع قطعه سازی الکترونیک و میکروالکترونیک است و نسبت به روش دیگر (نفوذ) مزایای بسیاری را دارد و کاشت یون فرایندی در مهندسی است که در آن یون های برخی مواد را می توان در ماده ای دیگر کاشت و ویژگی های فیزیکی آن ماده را تغییر داد و یک فناوری قوی و دقیق در ساخت آی سی های مهم و پیشرفته است. در روش کاشت یون یک دستگاه شتاب دهنده ذرات با ولتاژ بسیار بالا ، یک پرتو یون های ناخالصی را با سرعت سیار زیاد تولید می کند که می تواند در سطح سیلیکونی ویفر هدف نفوذ کند و آن مزایای بسیاری نسبت به رسوب های نفوذ در دمای بالا ارائه می کند کاشت یون یک فرایند در دمای پایین است و برای حداقل رساندن جنبش ناخالصی های نفوذ یافته در مدارات VLSI بسیار مهم است و به صورت کلی فرایند کاشت یون را توضیح و اشکالات روش فوق را بیان می کنیم به عنوان یک مقدمه کوتاه این بخش را آغاز می کنیم که هنگامی که شما متن را می خوانید بتوانید بفهمید.
